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川瀬 茂樹
Code:
100079887
50.0%
Success Rate
Granted / 特許査定
2
50.0% of total
Not Granted / 非特許
2
50.0%
Avg. Time / 平均期間
1050d
~2.9 yrs
Total / 総出願数
4
Applications
Patent Status
2 Granted / 特許査定
50.0%
2 Not Granted / 非特許
50.0%
Time to Grant
(days from publication)
Min
693
days
Median
1050
days
Max
1408
days
Based on 2 granted patents
Charts
Success Rate Trend / 特許率の推移
Time To Grant Trend (Days) / 特許査定期間の推移（日数）
Patent Volume By Year / 年別特許件数
Performance by Year
Year
Granted
Not Granted
Rate
2010
2
2
50.0%
Granted Patents
(2)
窒化物半導体ウエハー及び窒化物半導体デバイスの製造方法並びに窒化物半導体デバイス
JP2010010705
Google Patents
Filed: 1/14/2010
Granted: 11/22/2013
1408 days
局所加圧分子線エピタキシー装置と分子線エピタキシー装置の運転方法
JP2010034425
Google Patents
Filed: 2/12/2010
Granted: 1/6/2012
693 days
Clients
(3)
住友電気工業株式会社
学校法人立命館
株式会社エピクエスト
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